Datasheet下载- 型号： STI4N62K3
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STI4N62K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI4N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTI4N62K3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STI4N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STI4N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的STI4N62K3是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有620V的高漏源击穿电压和4A的连续漏极电流能力，采用TO-220或类似封装，具备良好的热稳定性和可靠性。 STI4N62K3主要适用于中高功率开关应用，常见于电源管理系统中。典型应用场景包括：开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、离线式电源适配器、LED照明驱动电源以及工业控制设备中的功率开关模块。其高耐压特性使其特别适合用于通用工业电源和家用电器中的功率转换环节，如空调、洗衣机等变频控制电路。 此外，该MOSFET也广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动电路和电池充电系统中，因其具备较低的导通电阻和快速的开关响应速度，有助于提高系统能效并减少能量损耗。在设计上，STI4N62K3支持高频工作，有助于减小外围元件体积，提升整体电源密度。 由于其稳定的性能和高可靠性，STI4N62K3在工业自动化、消费电子和绿色能源领域均有广泛应用，是中高压功率开关设计中的常用器件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STI4N62K3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH3™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-12262 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250644?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Tc） |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_renders/EPS300 1／2"BL48"BX.jpg)
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