Datasheet下载- 型号： IRFBC40LCPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC40LCPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC40LCPBF价格参考。VishayIRFBC40LCPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFBC40LCPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBC40LCPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFBC40LCPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，非常适合用作开关电源中的功率开关，提高效率并降低能量损耗。 2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：在降压或升压转换器中，IRFBC40LCPBF可用作主开关或同步整流器，实现高效的电压转换。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供高电流承载能力和快速响应速度，确保电机运行稳定。 4. 负载开关：在需要动态控制电流流动的应用中，如消费电子产品、笔记本电脑或移动设备，此MOSFET可作为负载开关，实现快速开启/关闭功能。 5. 电池管理：用于电池保护电路中，控制充放电路径，防止过流、短路或反向电压对电池造成损害。 6. 逆变器：在小型光伏逆变器或其他逆变应用中，该器件可用于将直流电转换为交流电，支持高效的能量传输。 7. LED驱动：在高亮度LED照明系统中，IRFBC40LCPBF可以精确调节电流，保证LED亮度一致性和稳定性。 8. 电信和网络设备：用于电信基站、路由器等设备中的电源管理模块，提供可靠且高效的电力传输。 由于其出色的电气性能和紧凑的封装设计，IRFBC40LCPBF特别适合对空间和效率有严格要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220ABMOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBC40LCPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91114点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | IRFBC40LCPBFIRFBC40LCPBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3.7A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFBC40LCPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 3.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 6.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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