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  • 型号: MR25H40CDFR
  • 制造商: EVERSPIN TECHNOLOGIES
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MR25H40CDFR由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR25H40CDFR价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR25H40CDFR封装/规格:存储器, MRAM(磁阻式 RAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) SPI 40MHz 8-DFN-EP,小标志(5x6)。您可以下载MR25H40CDFR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MR25H40CDFR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Everspin Technologies 的 MR25H40CDFR 是一款 4Mb(512K × 8)串行 SPI 接口的磁阻随机存取存储器(MRAM),具有非易失性、高速读写(最高 40 MHz SPI)、无限擦写寿命(>10¹⁵ 次)、宽温工作范围(–40°C 至 +105°C)及抗辐射/抗冲击特性。

其典型应用场景包括:  
- 工业自动化与PLC:用于实时保存关键运行参数、配置数据和事件日志,断电不丢失,避免传统EEPROM/NVRAM的写入延迟与寿命限制;  
- 汽车电子:满足AEC-Q100 Grade 2标准,适用于ADAS控制器、车身控制模块(BCM)中需高可靠性数据记录的场景(如故障码存储、校准值备份);  
- 医疗设备:在便携式监护仪、输液泵等设备中安全存储患者设置、运行历史及校准信息,确保数据完整性与即时恢复;  
- 通信基础设施:用于基站、光模块中的FPGA配置存储、状态快照和告警日志缓存,兼顾速度与非易失性;  
- 航天与军工:凭借抗辐照、耐高低温及抗振动特性,适用于卫星遥测数据暂存、飞行控制系统状态备份等严苛环境。

该器件无需备用电池或电容,简化系统设计,是替代SPI Flash + SRAM/EEPROM组合的理想方案,特别适合对数据可靠性、写入耐久性和启动确定性要求严苛的嵌入式系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN

产品分类

存储器

品牌

Everspin Technologies Inc

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MR25H40CDFR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

8-DFN-EP,小标志 (5x6)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

MRAM(磁阻 RAM)

存储容量

4M (512K x 8)

封装/外壳

8-VDFN 裸露焊盘

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

SPI 串行

标准包装

4,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

3 V ~ 3.6 V

速度

40MHz

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