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FDD10AN06A0产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD10AN06A0由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD10AN06A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDD10AN06A0封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 11A(Ta),50A(Tc) 135W(Tc) TO-252AA。您可以下载FDD10AN06A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD10AN06A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD10AN06A0 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于需要高效功率开关的场合。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和开关电源(SMPS),用于提高能效和减小体积。 2. 电机控制:在电动工具、家用电器及工业自动化中,作为电机驱动电路中的功率开关。 3. 负载开关:用于智能电池管理系统、便携式设备或服务器中的电源切换与保护。 4. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明驱动及车身控制模块,因其具备较高的可靠性和耐压能力。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源和光伏逆变器中,用于实现高效的能量转换。 该器件具有低导通电阻、高耐压(60V)和良好热性能,适合高频开关应用,有助于降低损耗并提升系统效率。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAKMOSFET 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD10AN06A0PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDD10AN06A0 |
Pd-PowerDissipation | 135 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
上升时间 | 79 ns |
下降时间 | 32 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1840pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10.5 毫欧 @ 50A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252AA |
其它名称 | FDD10AN06A0CT |
典型关闭延迟时间 | 32 ns |
功率-最大值 | 135W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252AA |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta), 50A (Tc) |
系列 | FDD10AN06A0 |
配置 | Single |
零件号别名 | FDD10AN06A0_NL |