Datasheet下载- 型号： NTD4806N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4806N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4806N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4806N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4806N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4806N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4806N-1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET器件。该产品广泛应用于需要高效、低功耗开关控制的电子系统中。 其主要应用场景包括：电源管理电路，如DC-DC转换器、电压调节模块（VRM），适用于笔记本电脑、台式机及服务器等设备中的电源转换；电池供电设备中的负载开关与电源切换，如便携式仪器、移动终端和消费类电子产品；电机驱动电路，用于小型直流电机或步进电机的控制；LED驱动电路，实现高效率恒流控制；以及各类工业控制和汽车电子系统中的开关电源和继电器替代方案。 NTD4806N-1G具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适合高频工作环境。其SOT-223封装形式有利于散热，适用于空间受限但对功率密度要求较高的设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。 综上所述，NTD4806N-1G是一款性能可靠、应用广泛的MOSFET，特别适合中低功率开关电源、电源管理和电机控制等场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4806N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2142pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.3A （Ta）， 79A （Tc） |
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