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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美半导体)的FDB8444TS是一种N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: FDB8444TS常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)中。其低导通电阻(Rds(on))特性可有效降低功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动: 该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,能够高效控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载开关: 在消费电子设备中,FDB8444TS可用作负载开关,实现对不同负载的快速开启和关闭,同时减少功耗和热损耗。 4. 电池管理: 在便携式设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中,该MOSFET可用于电池保护电路,防止过充、过放或短路。 5. 信号切换: FDB8444TS可用于音频、视频或其他信号切换应用,提供低噪声和高稳定性的信号传输。 6. 汽车电子: 在汽车电子系统中,该器件可用于LED照明控制、风扇控制或传感器接口等场景,满足车载环境的严格要求。 7. 工业自动化: 在工业控制领域,FDB8444TS可用于继电器替代、电磁阀驱动和信号隔离等应用,提升系统的可靠性和效率。 总结来说,FDB8444TS凭借其出色的电气性能和可靠性,适合需要高效功率转换和控制的各种应用场景,尤其是在消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FDB8444TS |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerTrench® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8410pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 338nC @ 20V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 毫欧 @ 70A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率-最大值 | 181W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-5,D²Pak(4 引线+接片),TO-263BB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Ta), 70A (Tc) |