Datasheet下载- 型号： SI4446DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4446DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4446DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4446DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4446DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4446DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4446DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、电源适配器、DC-DC 转换器等设备中的负载开关和电源切换，具有低导通电阻，有助于提高能效。 2. 电池供电设备：常用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和无线耳机中，作为高效能开关元件，延长电池续航时间。 3. 电机控制与负载开关：适用于小型电机、继电器或 LED 照明系统的开关控制，具备良好的热稳定性和快速响应能力。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、车身控制模块等场景，满足对可靠性和耐温性能的要求。 该器件采用小型封装（如 TSOP），适合高密度 PCB 设计，工作温度范围宽，适应多种工业与消费类应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?73661 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4446DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4446DY-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.9A （Ta） |
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