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IRFU210PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU210PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU210PBF价格参考¥3.99-¥3.99。VishayIRFU210PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 2.6A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA。您可以下载IRFU210PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU210PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFU210PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRFU210PBF适用于各种开关电源设计,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。 - 其高击穿电压(500V)使其能够承受高压环境,适合用于高频开关应用。 2. 电机驱动 - 在电机控制电路中,该MOSFET可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 适用于小型直流电机或步进电机驱动。 3. 逆变器 - 用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,作为功率开关器件。 - 其低导通电阻(典型值为0.28Ω)有助于减少功率损耗,提高效率。 4. 负载开关 - 在需要快速切换负载的应用中,IRFU210PBF可以用来控制电流的通断。 - 常见于工业设备、家用电器中的负载管理。 5. 电池管理系统(BMS) - 在电池保护电路中,该MOSFET可用作充电/放电开关,防止过充或过放。 - 支持高压电池组的管理和保护。 6. 电子镇流器 - 用于荧光灯或LED灯的电子镇流器中,提供高效的功率转换和调光功能。 7. 继电器替代 - 在某些应用中,IRFU210PBF可以用作固态继电器的替代品,实现更快速、更可靠的开关操作。 8. 保护电路 - 用作过流保护或短路保护开关,确保系统在异常情况下安全运行。 IRFU210PBF凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,在上述场景中表现出色,广泛应用于工业、消费电子和汽车领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAKMOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.6 A |
Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU210PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFU210PBFIRFU210PBF |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 17 ns |
下降时间 | 8.9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 1.6A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-251AA |
其它名称 | *IRFU210PBF |
典型关闭延迟时间 | 14 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 1.5 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | 200 V |
漏极连续电流 | 2.6 A |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |