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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9433BDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9433BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI9433BDY-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI9433BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI9433BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI9433BDY-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用领域: 1. 电源管理: SI9433BDY-T1-GE3可用于DC-DC转换器、降压或升压转换器中,作为功率开关器件,提供高效的能量转换。其低Rds(on)特性有助于减少传导损耗,提高整体效率。 2. 电池管理系统 (BMS): 在电池保护电路中,该MOSFET可用作负载开关或保护开关,控制电池充放电路径,防止过流、短路等异常情况。 3. 电机驱动: 适用于小型直流电机驱动电路,作为功率级开关,实现PWM调速或其他控制功能。 4. 负载开关: 在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,该器件可用作负载开关,快速切换负载状态,降低待机功耗。 5. USB充电与保护: 在USB充电接口中,用于电流限制和过流保护,确保设备安全充电。 6. 便携式设备: 针对便携式设备(如可穿戴设备、物联网终端),其低导通电阻和小封装尺寸使其成为理想选择,能够满足紧凑设计需求。 7. 信号切换: 在多路复用器或多路输入/输出系统中,用作信号切换开关,支持高速信号传输。 综上所述,SI9433BDY-T1-GE3凭借其优异的电气性能和紧凑封装,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域,特别是在需要高效功率转换和空间受限的设计中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOICMOSFET 20V 6.2A 2.5W 40mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72755 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI9433BDY-T1-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI9433BDY-T1-GE3SI9433BDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 6.2A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI9433BDY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI9433BDY-GE3 |