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  • 型号: HUF75639G3
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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HUF75639G3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75639G3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75639G3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75639G3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 56A(Tc) 200W(Tc) TO-247。您可以下载HUF75639G3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75639G3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 56A TO-247MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

56 A

Id-连续漏极电流

56 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75639G3UltraFET™

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产品型号

HUF75639G3

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

25 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

60 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

130nC @ 20V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

25 毫欧 @ 56A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247

其它名称

HUF75639G3-ND
HUF75639G3FS

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

200W

包装

管件

单位重量

6.390 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

56A (Tc)

系列

HUF75639

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

HUF75639G3_NL

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