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  • 型号: HUF75639G3
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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HUF75639G3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75639G3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75639G3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75639G3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 56A(Tc) 200W(Tc) TO-247。您可以下载HUF75639G3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75639G3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HUF75639G3 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):  
   HUF75639G3 适用于各种开关电源设计,如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性可提高效率并减少功率损耗。

2. 电机驱动:  
   在小型直流电机或步进电机驱动中,该 MOSFET 可用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。

3. 负载开关:  
   由于其低导通电阻和较小的封装尺寸,HUF75639G3 常用于消费电子设备中的负载开关应用,以实现高效电源管理。

4. 电池管理系统(BMS):  
   在电池保护电路中,该器件可用作充电/放电路径的开关,确保电池安全运行并防止过流或短路。

5. LED 驱动:  
   HUF75639G3 的低导通电阻和高电流处理能力使其适合用于 LED 照明驱动电路,提供稳定的电流输出并降低发热。

6. 信号切换:  
   在通信设备或音频系统中,该 MOSFET 可用于信号切换,实现不同信号源之间的快速切换。

7. 汽车电子:  
   该器件符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车电子应用,例如车载信息娱乐系统、车窗升降器控制和座椅调节等。

8. 工业控制:  
   在工业自动化领域,HUF75639G3 可用于继电器替代、传感器接口和电磁阀驱动等场景。

总之,HUF75639G3 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域,满足多种高效功率转换和开关需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 56A TO-247MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

56 A

Id-连续漏极电流

56 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75639G3UltraFET™

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产品型号

HUF75639G3

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

25 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

60 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

130nC @ 20V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

25 毫欧 @ 56A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247

其它名称

HUF75639G3-ND
HUF75639G3FS

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

200W

包装

管件

单位重量

6.390 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

56A (Tc)

系列

HUF75639

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

HUF75639G3_NL

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