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HUF75639G3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75639G3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75639G3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75639G3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 56A(Tc) 200W(Tc) TO-247。您可以下载HUF75639G3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75639G3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75639G3 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): HUF75639G3 适用于各种开关电源设计,如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性可提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动: 在小型直流电机或步进电机驱动中,该 MOSFET 可用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载开关: 由于其低导通电阻和较小的封装尺寸,HUF75639G3 常用于消费电子设备中的负载开关应用,以实现高效电源管理。 4. 电池管理系统(BMS): 在电池保护电路中,该器件可用作充电/放电路径的开关,确保电池安全运行并防止过流或短路。 5. LED 驱动: HUF75639G3 的低导通电阻和高电流处理能力使其适合用于 LED 照明驱动电路,提供稳定的电流输出并降低发热。 6. 信号切换: 在通信设备或音频系统中,该 MOSFET 可用于信号切换,实现不同信号源之间的快速切换。 7. 汽车电子: 该器件符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车电子应用,例如车载信息娱乐系统、车窗升降器控制和座椅调节等。 8. 工业控制: 在工业自动化领域,HUF75639G3 可用于继电器替代、传感器接口和电磁阀驱动等场景。 总之,HUF75639G3 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域,满足多种高效功率转换和开关需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 56A TO-247MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 56 A |
Id-连续漏极电流 | 56 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75639G3UltraFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | HUF75639G3 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 200 W |
Pd-功率耗散 | 200 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 60 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 20V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 56A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | HUF75639G3-ND |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 200W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 56A (Tc) |
系列 | HUF75639 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | HUF75639G3_NL |