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Datasheet下载- 型号： PMV33UPE,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMV33UPE,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMV33UPE,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV33UPE,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV33UPE,215封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 4.4A（Ta） 490mW（Ta） TO-236AB。您可以下载PMV33UPE,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMV33UPE,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMV33UPE,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个封装），采用小型表面贴装 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低阈值电压（VGS(th) ≈ –0.7 V 至 –1.3 V）和高开关速度等特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关与电池保护电路，用于实现低功耗、快速启停的电源通断控制； 2. 反向电流/反接保护：在 USB 供电、充电模块或电池输入端，作为理想二极管替代方案，防止电源反接或电池倒灌； 3. DC-DC 转换器同步整流：适用于小功率降压（Buck）转换器的下管（同步整流侧），提升转换效率（尤其在低压大电流场景如 3.3V/5V 系统）； 4. LED 驱动与背光控制：用于中小尺寸 LCD/OLED 显示屏的背光调光开关，支持 PWM 控制； 5. 逻辑电平兼容接口驱动：因具备低阈值特性，可直接由 1.8V/3.3V MCU GPIO 驱动，适用于 I/O 扩展、传感器供电开关等空间受限的嵌入式系统。 该器件强调高可靠性、小尺寸与低功耗，不适用于高压（>20V）或大电流（连续ID >3.5A）主功率应用。设计时需注意 PCB 散热及栅极驱动稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMV33UPE,215 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1820pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 36 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-10834-6 |
| 功率-最大值 | 490mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A （Ta） |
