Datasheet下载- 型号： FDP51N25
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP51N25由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP51N25价格参考。Fairchild SemiconductorFDP51N25封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP51N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP51N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP51N25 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源 (SMPS) - FDP51N25 的高电压耐受能力（250V Vds）和较低的导通电阻使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - 可用于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器以及 PFC（功率因数校正）电路中。 2. 电机驱动 - 在中小功率电机驱动系统中，FDP51N25 可作为主开关器件，控制电机的启停、速度调节及方向切换。 - 其快速开关特性和低损耗特性有助于提高电机驱动系统的效率。 3. 逆变器 - 该型号可用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）等设备中，作为功率级开关元件。 - 在逆变器中，FDP51N25 能够实现直流到交流的高效转换。 4. 负载开关与保护电路 - 在工业控制或消费电子领域，FDP51N25 可用作负载开关，实现对负载的动态控制。 - 它还适用于过流保护、短路保护等场景，确保系统的安全运行。 5. 汽车电子 - 在汽车电子领域，FDP51N25 可用于启动系统、照明控制、电动座椅调节等需要高电压和大电流的应用。 - 其可靠性高且温升低，适合恶劣的工作环境。 6. 继电器替代 - 由于其固态特性和长寿命，FDP51N25 可以替代传统的机械继电器，用于需要频繁开关的场合。 总结 FDP51N25 凭借其出色的电气性能和稳定性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高电压、高效率和快速响应的场景下表现优异。选择该型号时，需根据具体应用需求考虑散热设计和驱动电路匹配，以充分发挥其优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220MOSFET 250V N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 51 A |
| Id-连续漏极电流 | 51 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP51N25UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP51N25 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 320 W |
| Pd-功率耗散 | 320 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 465 ns |
| 下降时间 | 130 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3410pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 25.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 98 ns |
| 功率-最大值 | 320W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 51A （Tc） |
| 系列 | FDP51N25 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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