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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRF2807ZSTRRPBF 是一款功率 MOSFET 晶体管,属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电力电子系统中。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理:如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源模块。 2. 电机控制:用于无刷直流电机驱动、电动工具及小型电动车控制系统中,提供快速开关响应和低导通损耗。 3. 汽车电子:在车载电源系统、电池管理系统(BMS)、LED 照明驱动电路中使用,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 4. 工业自动化:用于PLC、工业电源及变频器中,实现对执行机构或传感器的精确控制。 5. 消费类电子产品:如智能家电、充电器、适配器等,支持节能设计与小型化需求。 该器件采用表面贴装封装,适合自动化生产,并具备良好的热稳定性和耐用性,适合中高功率密度设计场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF2807ZSTRRPBF |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3270pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.4 毫欧 @ 53A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 170W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |