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Datasheet下载- 型号： IHW15N120R3FKSA1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IHW15N120R3FKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IHW15N120R3FKSA1价格参考。InfineonIHW15N120R3FKSA1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench 1200V 30A 254W Through Hole PG-TO247-3。您可以下载IHW15N120R3FKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IHW15N120R3FKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IHW15N120R3FKSA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于超结MOSFET (UGBT) 类别。这款器件具有高电压和低导通电阻的特性，适用于多种电力电子应用场合。 该型号的MOSFET主要应用于需要高效能功率转换的场景中，如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)系统、太阳能逆变器等。它也常用于工业电机驱动和控制电路里，以实现快速且精确的速度调节及方向控制。此外，在电动汽车充电桩的设计中，这种类型的MOSFET可以确保稳定的直流输出，支持高效的充电过程。 具体到IHW15N120R3FKSA1的特点，其额定电压为1200V，能够承受较高的工作电压而不被击穿；同时它的最大连续漏极电流可达15A，这使得它可以处理较大的电流负载。较低的导通电阻有助于减少能量损耗并提高效率，尤其是在高频操作条件下表现尤为突出。再者，由于采用了TO-247封装形式，不仅便于安装，而且散热性能良好，有利于延长产品的使用寿命。 总之，IHW15N120R3FKSA1凭借其优异的电气参数和可靠的物理结构，成为众多高要求电力电子产品中的理想选择。无论是对于提升设备的整体性能还是降低运行成本方面都发挥了重要作用。
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