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  • 型号: DMN1019USN-13
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN1019USN-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN1019USN-13价格参考。Diodes Inc.DMN1019USN-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 12V 9.3A(Ta) 680mW(Ta) SC-59。您可以下载DMN1019USN-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN1019USN-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated生产的DMN1019USN-13是一款N沟道增强型MOSFET,采用超小型DFN1010-3封装(1mm x 1mm)。其主要应用场景包括:

1. 便携式设备的负载开关:  
   DMN1019USN-13具有极低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下(Vgs=4.5V)仅为27mΩ,非常适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的负载开关应用。它能够高效地控制电源路径,减少功耗并优化电池寿命。

2. 电源管理电路:  
   该器件适用于各种低功率DC-DC转换器和稳压器设计,可作为同步整流或主开关使用。由于其小型化设计和出色的电气性能,特别适合空间受限的应用场景。

3. 保护电路:  
   在过流保护、短路保护以及反向电流保护等电路中,DMN1019USN-13可以快速响应并切断异常电流路径,从而保护系统免受损坏。

4. 音频设备的驱动:  
   它可用于耳机放大器或其他小型音频设备的输出级驱动,提供高效的信号传输同时保持低失真。

5. 消费类电子产品:  
   包括USB充电器、蓝牙音箱、智能手表、健康监测设备等需要高效率和小尺寸解决方案的产品中,这款MOSFET都能发挥重要作用。

6. 电机控制:  
   对于小型直流电机或振动马达的驱动与控制,DMN1019USN-13提供了紧凑且可靠的开关选项。

总之,DMN1019USN-13凭借其卓越的性能指标和微型封装,成为众多低电压、低功耗应用的理想选择,尤其在追求小型化和高性能的现代电子设备中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

DMN1019USN-13

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

800mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

*

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50.6nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 9.7A,4.5V

供应商器件封装

SC-59

其它名称

DMN1019USN-13DIDKR

功率-最大值

680mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.3A (Ta)

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