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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN1019USN-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN1019USN-13价格参考。Diodes Inc.DMN1019USN-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 12V 9.3A(Ta) 680mW(Ta) SC-59。您可以下载DMN1019USN-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN1019USN-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated生产的DMN1019USN-13是一款N沟道增强型MOSFET,采用超小型DFN1010-3封装(1mm x 1mm)。其主要应用场景包括: 1. 便携式设备的负载开关: DMN1019USN-13具有极低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下(Vgs=4.5V)仅为27mΩ,非常适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的负载开关应用。它能够高效地控制电源路径,减少功耗并优化电池寿命。 2. 电源管理电路: 该器件适用于各种低功率DC-DC转换器和稳压器设计,可作为同步整流或主开关使用。由于其小型化设计和出色的电气性能,特别适合空间受限的应用场景。 3. 保护电路: 在过流保护、短路保护以及反向电流保护等电路中,DMN1019USN-13可以快速响应并切断异常电流路径,从而保护系统免受损坏。 4. 音频设备的驱动: 它可用于耳机放大器或其他小型音频设备的输出级驱动,提供高效的信号传输同时保持低失真。 5. 消费类电子产品: 包括USB充电器、蓝牙音箱、智能手表、健康监测设备等需要高效率和小尺寸解决方案的产品中,这款MOSFET都能发挥重要作用。 6. 电机控制: 对于小型直流电机或振动马达的驱动与控制,DMN1019USN-13提供了紧凑且可靠的开关选项。 总之,DMN1019USN-13凭借其卓越的性能指标和微型封装,成为众多低电压、低功耗应用的理想选择,尤其在追求小型化和高性能的现代电子设备中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN1019USN-13 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | * |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50.6nC @ 8V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 9.7A,4.5V |
供应商器件封装 | SC-59 |
其它名称 | DMN1019USN-13DIDKR |
功率-最大值 | 680mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.3A (Ta) |