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- 型号： STP5N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP5N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP5N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTP5N60M2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP5N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP5N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP5N60M2是一款N沟道MOSFET晶体管，具有600V的耐压能力和5A的最大连续漏极电流。这款器件适用于多种高压和高功率应用领域，以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：STP5N60M2因其高击穿电压和低导通电阻特性，非常适合用于开关电源中的高频开关应用，例如离线式开关电源、DC-DC转换器等。 2. 电机控制：在家电和工业设备中，该MOSFET可用于驱动小型电机或作为电机控制器的一部分，提供高效的开关性能以实现速度和方向控制。 3. 逆变器：用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变系统中，帮助将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的高效能量转换。 4. 固态继电器：替代传统机械继电器，在需要快速切换和长寿命的应用中使用，如照明控制、家用电器和工业自动化设备。 5. 负载开关：在各种电子设备中用作负载开关，能够安全地接通或断开负载，同时保护电路免受过流和其他异常情况的影响。 6. 电池管理：应用于电池充电器及保护电路中，确保电池充放电过程的安全性和效率。 7. 汽车电子：尽管其封装可能不完全针对汽车级标准设计，但在某些非关键车载电子应用中也可以考虑使用，比如车窗升降器、座椅调节器等辅助功能模块。 总之，STP5N60M2凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛适用于需要高性能开关和功率处理能力的各种工业、消费类以及特定汽车电子环境中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP5N60M2MDmesh™ II Plus |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP5N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Qg-GateCharge | 4.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.26 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.26 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 165pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 1.85A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-14282-5 |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.26 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 3.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A （Tc） |
| 系列 | STP5N60M2 |
| 配置 | Single |
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