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  • 型号: IRF540STRRPBF
  • 制造商: Vishay
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IRF540STRRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF540STRRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF540STRRPBF价格参考¥8.38-¥9.66。VishayIRF540STRRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 100V 28A (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)。您可以下载IRF540STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF540STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix生产的IRF540STRRPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件广泛应用于需要高效开关和中高功率处理能力的电路中。典型应用场景包括:直流电机控制、电源开关系统(如开关电源SMPS)、逆变器和UPS不间断电源、LED照明驱动电路以及电池充电管理系统。其74A的大电流承载能力和100V的漏源击穿电压,使其适用于12V或24V的工业控制、汽车电子和电源转换设备中。此外,IRF540STRRPBF采用TO-263(D²PAK)表面贴装封装,具有良好的热性能和可靠性,适合自动化生产,常用于需要紧凑设计和高效率的现代电子设备。由于符合RoHS标准且无铅,该型号也适用于环保要求较高的消费类电子产品和绿色能源系统。总体而言,IRF540STRRPBF是一款性能稳定、应用广泛的功率MOSFET,特别适合中等功率开关场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAKMOSFET N-Chan 100V 28 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

28 A

Id-连续漏极电流

28 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF540STRRPBF-

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产品型号

IRF540STRRPBFIRF540STRRPBF

Pd-PowerDissipation

3.7 W

Pd-功率耗散

3.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

77 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

77 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

44 ns

下降时间

43 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1700pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

72nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

77 毫欧 @ 17A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263(D2Pak)

其它名称

IRF540STRRPBFDKR

典型关闭延迟时间

53 ns

功率-最大值

3.7W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

28A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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