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产品简介:
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NTD6415ANLT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适用于需要高效功率管理的场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、电源开关及负载管理,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源设计。 2. 电机控制:在直流电机、步进电机等控制电路中作为开关元件,用于工业自动化和机器人控制系统。 3. 电池供电设备:如移动电源、电动工具、无人机等,因其低导通损耗有助于提高电池使用效率和延长续航时间。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动及电池管理系统(BMS),符合汽车级可靠性要求。 5. 消费类电子产品:如智能家电、智能插座等智能家居设备中,作为高效能开关使用。 该MOSFET采用TSOP封装,便于表面贴装,适合高密度电路设计,是一款性能稳定、应用广泛的功率器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 23A 56MOHM DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD6415ANLT4G |
PCN组件/产地 | |
rohs | 无铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1024pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 52 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 83W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Tc) |