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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG47N60EF-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG47N60EF-GE3价格参考。VishaySIHG47N60EF-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIHG47N60EF-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHG47N60EF-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHG47N60EF-GE3是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N通道增强型功率MOSFET。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS): 该型号适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其600V的高击穿电压和低导通电阻(Rds(on))特性使其能够高效处理高压环境下的功率转换任务。 2. 电机驱动: 在工业自动化和家用电器中,SIHG47N60EF-GE3可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗性能有助于提高系统的效率和可靠性。 3. 逆变器: 用于太阳能逆变器或不间断电源(UPS)系统中,实现直流到交流的转换。其耐高压能力和良好的热稳定性确保了在复杂工作条件下的稳定运行。 4. PFC电路(功率因数校正): 在需要提高功率因数的应用中,如大型家电或工业设备,该MOSFET可以作为关键元件参与PFC电路的设计,优化电能利用效率。 5. 负载开关和保护电路: 可用作负载开关以控制电路中的电流流动,同时提供过流保护、短路保护等功能,保障整个系统的安全运行。 6. 电动车和混合动力车: 在新能源汽车领域,这款MOSFET可用于电池管理系统(BMS)、车载充电器以及电动助力转向系统中,支持高效的电力传输与管理。 综上所述,SIHG47N60EF-GE3凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于各类需要高效功率转换和控制的场景,尤其适合高压、大功率的工业及消费电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247ACMOSFET 600V 67mOhms@10V 47A N-Ch EF-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 47 A |
| Id-连续漏极电流 | 47 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHG47N60EF-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHG47N60EF-GE3SIHG47N60EF-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 379 W |
| Pd-功率耗散 | 379 W |
| Qg-GateCharge | 225 nC |
| Qg-栅极电荷 | 225 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 67 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 67 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 61 ns |
| 下降时间 | 58 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4854pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 225nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 67 毫欧 @ 24A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 典型关闭延迟时间 | 94 ns |
| 功率-最大值 | 379W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 47A (Tc) |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |