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Datasheet下载- 型号： FQD10N20CTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD10N20CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD10N20CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD10N20CTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD10N20CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD10N20CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD10N20CTM是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）。该器件具有200V的漏源击穿电压和10A的连续漏极电流能力，适用于中高功率开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：广泛用于开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器中，因其高耐压和低导通电阻特性，可提高能效并减少发热。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，如家用电器、电动工具和工业控制系统中的直流电机驱动模块。 3. 照明系统：应用于LED驱动电源和电子镇流器中，支持高效稳定的电流调节。 4. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中用于功率切换，实现直流到交流的高效转换。 5. 消费类电子产品：如电视、显示器电源板及充电设备中，承担主开关或同步整流功能。 6. 保护电路：可用于过流保护、热插拔电路或负载开关，提供快速响应和可靠控制。 FQD10N20CTM采用TO-252（D-Pak）封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合自动化贴片生产，广泛应用于工业、消费电子和通用电源领域。其优化的栅极电荷和开关特性有助于降低开关损耗，提升系统整体效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAKMOSFET N-CH/200V/10A/QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD10N20CTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD10N20CTM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 360 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 360 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 92 ns |
| 下降时间 | 72 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | FQD10N20CTM-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 360 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 7.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.8A （Tc） |
| 系列 | FQD10N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQD10N20CTM_NL |
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