ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXM61P02FTA
Datasheet下载- 型号： ZXM61P02FTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXM61P02FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXM61P02FTA价格参考￥0.70-￥0.70。Diodes Inc.ZXM61P02FTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载ZXM61P02FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXM61P02FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXM61P02FTA 是由 Diodes Incorporated 生产的单个 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 晶体管类别。它具有多种应用场景，特别是在需要高效、低功耗和高开关速度的电路中。 1. 电源管理 ZXM61P02FTA 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于电源管理应用。它可以作为高效的开关元件，用于降压或升压转换器、DC-DC 转换器等电路中，帮助提高电源效率并减少能量损耗。此外，它还可以用于负载开关，实现对不同负载的快速切换和保护。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，ZXM61P02FTA 可以用作电机的开关控制元件。它的高开关速度和低导通电阻有助于减少电机启动时的电流冲击，并提高系统的响应速度。该器件适用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等的驱动电路。 3. 电池管理系统 ZXM61P02FTA 在电池管理系统（BMS）中也有广泛应用。它可以用于电池充放电控制，确保电池在安全范围内工作。通过精确控制电流的通断，MOSFET 可以有效防止过充、过放以及短路等故障，延长电池寿命。 4. 信号切换 在通信设备和消费电子中，ZXM61P02FTA 可以用于信号切换电路。它能够快速切换不同的信号路径，同时保持低噪声和高可靠性。例如，在手机、平板电脑等设备中，MOSFET 可以用于天线切换、音频信号切换等场景。 5. 工业自动化 在工业自动化领域，ZXM61P02FTA 可用于各种传感器接口、执行器控制和信号调理电路。它的高可靠性和耐高温特性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。例如，在温度传感器、压力传感器等电路中，MOSFET 可以用于信号放大和传输。 6. 便携式设备 由于其低功耗和小封装尺寸，ZXM61P02FTA 非常适合用于便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它可以用于电源管理、充电控制、背光调节等功能模块，帮助延长电池续航时间并减小设备体积。 总之，ZXM61P02FTA 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电子设备中，尤其在电源管理、电机驱动、电池管理和信号切换等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3MOSFET 20V P-Chnl HDMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 900 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 900 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXM61P02FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXM61P02FTA |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 900 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 6.7 ns |
| 下降时间 | 6.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 610mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXM61P02FTR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 11.2 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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