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Datasheet下载- 型号： TPC8018-H(TE12LQM)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPC8018-H(TE12LQM)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPC8018-H(TE12LQM)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPC8018-H(TE12LQM)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPC8018-H(TE12LQM)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPC8018-H(TE12LQM) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为TPC8018-H(TE12LQM)的MOSFET，属于东芝（Toshiba Semiconductor and Storage）的功率MOSFET产品线，主要应用于需要高效、高频开关性能的电子设备中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，因其具备低导通电阻和高速开关特性，有助于提高电源转换效率并减小体积。 2. 电机驱动：可用于小型电机或步进电机的控制电路中，作为开关元件，实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 负载开关：在需要频繁开启和关闭负载的场景中，如LED驱动、电池充电管理中，TPC8018-H可作为高效开关使用。 4. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的汽车应用环境。 5. 工业自动化：用于工业控制设备中的功率开关，如PLC、传感器模块和自动化执行器等。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，且具备良好的热稳定性和耐久性，适用于中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPC8018-H(TE12LQM) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2265pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.6 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP（5.5x6.0） |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Ta） |
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