Datasheet下载- 型号： IXFK32N100P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK32N100P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK32N100P价格参考。IXYSIXFK32N100P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFK32N100P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK32N100P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK32N100P是一款高功率MOSFET晶体管，常用于需要高效能和高稳定性的电源转换系统。其主要应用场景包括： 1. 工业电源与变频器：适用于工业电机驱动、变频电源及自动化设备中的功率开关，具备高耐压（1000V）与大电流承载能力（32A），可确保系统在恶劣环境下稳定运行。 2. 新能源领域：如太阳能逆变器和储能系统中，用于DC-AC转换电路，实现高效的能量转换，满足清洁能源设备对可靠性和效率的高要求。 3. 电动汽车与充电桩：可用于车载充电器或充电桩的功率模块中，承担高频开关功能，提高电能利用率并减小设备体积。 4. UPS不间断电源：在UPS的逆变电路中作为核心开关元件，提供快速响应与低导通损耗，保障电力中断时的无缝切换。 5. 开关电源（SMPS）：广泛应用于高压开关电源设计中，如服务器电源、医疗电源等对安全与效率有严格要求的场合。 该器件采用TO-264封装，便于散热和安装，适合高功率密度设计。其高雪崩耐量和抗短路能力强的特点，使其在复杂电磁环境和高负载条件下仍具有良好的可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK32N100PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK32N100P |
| Pd-PowerDissipation | 960 W |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Qg-GateCharge | 225 nC |
| Qg-栅极电荷 | 225 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 320 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 320 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 43 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 225nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 320 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 典型关闭延迟时间 | 76 ns |
| 功率-最大值 | 960W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar, HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Tc） |
| 系列 | IXFK32N100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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