ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PEMH11,115
Datasheet下载- 型号： PEMH11,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH11,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH11,115价格参考￥0.18-￥0.18。NXP SemiconductorsPEMH11,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMH11,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH11,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMH11,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 PNP 型小信号双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-323（SC-70）超小型表面贴装封装，具有低饱和电压、高电流增益（hFE典型值达250@IC=10mA）、快速开关特性及良好的热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备中的信号开关与电平转换——如智能手机、可穿戴设备中用于LED驱动、传感器接口或电源使能控制； ✅ 低功耗模拟前端电路——在电池供电的IoT节点中用作电流镜、有源负载或简易放大级（如麦克风前置放大）； ✅ DC-DC转换器辅助功能——在升压/降压模块中担任使能开关、反馈路径隔离或过流检测的有源元件； ✅ 工业控制与汽车电子（AEC-Q101兼容）——适用于车身控制模块（BCM）中的继电器驱动、LED状态指示、CAN/LIN总线终端偏置等非主功率场景。 该器件最大集电极电流 IC = 100 mA，VCEO = –50 V，适合中低电压（≤12 V）、中低电流（≤50 mA典型工作区）的通用放大与开关应用，强调高可靠性、小尺寸和成本效益。不适用于大功率放大或高频射频（RF）场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMH11,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-11266-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 NPN 预偏压（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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