Datasheet下载- 型号： PMPB47XP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB47XP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB47XP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB47XP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMPB47XP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB47XP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMPB47XP,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个封装），采用小型 SOT-23（SC-59）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 47 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、电池保护电路或反向电流阻断（如防止USB供电时电池倒灌）； - DC-DC 转换器的同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管，提升能效（尤其适用于低电压、中低电流场合，如1–3 A输出）； - LED 驱动与背光控制：用于中小功率 LED 的恒流/调光开关，支持PWM调光； - 工业与消费类嵌入式系统中的信号切换与电平转换：如微控制器I/O口驱动外部负载（继电器、小电机、传感器模块）的高边开关； - 电池供电系统的低功耗待机控制：利用其低关断漏电流（IDSS < 100 nA）实现高效休眠管理。 该器件额定电压为−20 V，连续漏极电流达−2.8 A（Ta = 25°C），适合低压（≤5 V）、中低功率（<10 W）、空间受限且强调能效与成本平衡的应用场景。注意需合理设计PCB散热及驱动电路（避免栅极振荡），以发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMPB47XP,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1365pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 58 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10824-6 |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
.jpg)
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
PMPB47XP,115 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商