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详细数据请看参考数据手册
- 型号： STB60N55F3
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB60N55F3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB60N55F3价格参考。STMicroelectronicsSTB60N55F3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB60N55F3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB60N55F3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的STB60N55F3是一款N沟道增强型MOSFET，属于高电压、大电流功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和功率控制的场合。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器，适用于工业电源、通信电源等，因其低导通电阻（RDS(on)）和高效率，有助于减少能量损耗和发热。 2. 电机驱动：用于家用电器（如洗衣机、空调压缩机）、工业电机控制中，作为主开关元件，实现对电机的精确控制与节能运行。 3. 照明系统：在高强度气体放电灯（HID）、LED驱动电源中用作高频开关，提升照明系统的稳定性和能效。 4. 新能源领域：可用于太阳能逆变器或小型风力发电系统的功率转换模块，支持可再生能源设备的高效能量管理。 5. 消费电子与工业控制：如UPS不间断电源、充电设备、电焊机等，提供可靠的高功率开关性能。 STB60N55F3具备高耐压（550V）、大电流（60A）能力，以及优化的栅极电荷和开关特性，适合高频工作环境。其采用TO-220FP或类似封装，具有良好的散热性能，便于集成于紧凑型设计中。综合来看，该器件适用于中高功率、高效率要求的电力电子系统，是工业与消费类电源应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAKMOSFET STripFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB60N55F3STripFET™ III |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB60N55F3 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 11.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 32A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-5954-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF165997?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/497-8011-KIT/497-8011-KIT-ND/2340668 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 50 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | STB60N55F3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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