Datasheet下载- 型号： SIHG33N60E-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG33N60E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG33N60E-GE3价格参考。VishaySIHG33N60E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHG33N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHG33N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHG33N60E-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该器件适用于各种开关模式电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其600V的耐压能力使其非常适合高压应用环境。 2. 电机控制：在工业自动化和家用电器中，用于驱动中小型电机。它能够承受电机启动时的大电流冲击，并保持稳定运行。 3. 逆变器：广泛应用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变设备中，用于高效地将直流电转换为交流电。 4. 不间断电源（UPS）系统：作为关键组件之一，在保证系统可靠性和效率方面发挥重要作用。 5. 电池管理与保护电路：可用于电动车、储能系统等领域的电池充放电管理，提供过流保护及快速响应特性。 6. 电磁阀驱动：在需要频繁开闭操作的电磁阀控制系统中使用，确保高可靠性的同时降低能耗。 7. PFC（功率因数校正）电路：提高用电设备输入端功率因数，减少谐波污染，提升整体能源利用率。 8. 固态继电器：利用其低导通电阻特点来实现更小体积、更高性能的固态开关解决方案。 总之，SIHG33N60E-GE3凭借其出色的电气参数（如低Rds(on)、高击穿电压等），成为众多高压、高频应用场合的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247ACMOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHG33N60E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHG33N60E-GE3SIHG33N60E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 278 W |
| Pd-功率耗散 | 278 W |
| Qg-GateCharge | 150 nC |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 99 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 99 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 4 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 4 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 90 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3508pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 99 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 其它名称 | SIHG33N60E-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 功率-最大值 | 278W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | E-Series |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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