ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > DMG263020R
Datasheet下载- 型号： DMG263020R
- 制造商： Panasonic Corporation
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG263020R由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG263020R价格参考。Panasonic CorporationDMG263020R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount Mini5-G3-B。您可以下载DMG263020R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG263020R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components的型号DMG263020R是一款双极性晶体管（BJT）阵列，且为预偏置设计。这种器件通常适用于需要多路信号切换、放大或控制的应用场景。以下是该型号可能的应用领域和具体用途： 1. 信号切换与处理 该晶体管阵列可以用于音频设备中的信号切换或多路输入选择。例如，在音响系统中，可以通过这些晶体管实现不同信源（如CD、蓝牙、收音机）之间的快速切换。 2. 传感器信号放大 在工业自动化或消费电子领域，传感器输出的微弱信号可能需要放大。DMG263020R的预偏置特性使其适合用作低噪声放大器，提高信号的质量和可检测性。 3. 驱动电路 该型号可用于驱动小型继电器、LED或其他低功率负载。在一些嵌入式系统中，它可以用作逻辑电平到更高电压/电流的转换器，以满足外部设备的需求。 4. 电源管理 在便携式设备或电池供电系统中，该晶体管阵列可用于简单的电源开关或稳压电路。其预偏置功能有助于简化设计并减少外围元件数量。 5. 通信设备 在低功耗无线模块或调制解调器中，这类晶体管可用于射频信号的初步处理或增益调整，确保信号传输的稳定性和可靠性。 6. 汽车电子 汽车内部的各种控制单元（如座椅调节、窗户升降等）可能需要用到类似的晶体管阵列来实现高效能的开关控制。 7. 测试与测量设备 在精密仪器中，DMG263020R可以作为信号调理的一部分，帮助完成数据采集前的预处理工作。 总之，DMG263020R凭借其紧凑的设计和预偏置特性，在需要多通道独立控制或小信号放大的场合表现出色，广泛应用于消费电子、工业控制、通信及汽车等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP MINI5开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Panasonic DMG263020R- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJC7003+DMG26302+8+WW |
| 产品型号 | DMG263020RDMG263020R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 迷你型5-G3-B |
| 其它名称 | DMG263020R-ND |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 封装/箱体 | Mini5-G3-B |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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