数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB8860由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB8860价格参考。Fairchild SemiconductorFDB8860封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB8860参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB8860 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB8860 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能MOSFET器件,常用于电源管理和功率转换应用。其应用场景主要包括: 1. 电源管理模块:适用于DC-DC转换器、稳压器等电源模块,提供高效的能量转换,尤其在同步整流电路中表现优异。 2. 电机驱动电路:因其具备高电流承载能力和快速开关特性,适合用于直流电机、步进电机的驱动电路中。 3. 电池管理系统:在电动工具、电动车、储能系统中,FDB8860可用于电池充放电控制电路,实现高效能与高可靠性。 4. 负载开关与电源开关:作为高侧或低侧开关使用,控制电源通断,适用于服务器、通信设备及工业控制系统。 5. 逆变器与变频器:在小型逆变器或变频器中,用于功率开关,实现交流输出的调节与控制。 6. 汽车电子系统:如车载充电系统、车身控制模块等,因其具备良好的热稳定性和耐用性,适合汽车环境应用。 该器件集成了多个MOSFET(通常为上下管组合),节省PCB空间并提升系统效率,适用于对空间与效率要求较高的设计场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKMOSFET 30V N-Channel PwrTrch MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
Id-连续漏极电流 | 80 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB8860PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDB8860 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 254 W |
Pd-功率耗散 | 254 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 213 ns |
下降时间 | 49 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12585pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 214nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 毫欧 @ 80A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | FDB8860DKR |
典型关闭延迟时间 | 79 ns |
功率-最大值 | 254W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |
系列 | FDB8860 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |