Datasheet下载- 型号： 2N6661-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N6661-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6661-E3价格参考。Vishay2N6661-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N6661-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N6661-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 2N6661-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等电源系统，因其具备较高的开关速度和较低导通电阻，有助于提高能效。 2. 电机控制：在直流电机驱动、步进电机控制或电动车控制器中作为功率开关使用，支持快速响应与精确控制。 3. 照明系统：如LED驱动电源、汽车前灯或工业照明设备中，用于调节电流或实现PWM调光功能。 4. 工业自动化：在PLC、继电器替代电路、工业变频器及伺服驱动器中用作高频率开关元件。 5. 消费类电子产品：例如充电器、UPS不间断电源、家电中的功率控制模块等。 该器件具有耐高压、大电流能力和良好的热稳定性，适合多种中高功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 90V 860MA TO-205MOSFET 90V 0.9A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 900 mA |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix 2N6661-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N6661-E3 |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 90 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-39 |
| 功率-最大值 | 725mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 封装/箱体 | TO-205AD-3 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 90V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 860mA （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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