Datasheet下载- 型号： SPB80N06S2-09
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPB80N06S2-09由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPB80N06S2-09价格参考。InfineonSPB80N06S2-09封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPB80N06S2-09参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPB80N06S2-09 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 SPB80N06S2-09 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于晶体管中的 FET 类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于高效能开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器中，如服务器、通信设备和工业电源模块，因其低损耗特性可提高整体能效。 2. 电机驱动：适用于电动工具、家用电器（如洗衣机、吸尘器）中的直流电机或步进电机控制，提供快速开关响应和良好热稳定性。 3. 照明系统：用于 LED 驱动电源，支持高效率恒流输出，满足节能照明需求。 4. 汽车电子：在车载电源系统、车身控制模块（如车窗升降、风扇控制）中发挥稳定开关作用，符合汽车级可靠性标准。 5. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中作为关键开关元件，实现电能高效转换。 SPB80N06S2-09 采用先进的沟槽栅技术，在 60V 耐压下提供优异的性能与可靠性，适合高密度、高效率设计需求。其封装形式有利于散热和 PCB 布局优化，广泛应用于工业、消费电子及汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPP_B_80N06S2-09_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b43246255792&fileId=db3a304412b407950112b43246985793 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SPB80N06S2-09 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 125µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3140pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.1 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | P-TO263-3 |
| 其它名称 | SP000013581 |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
