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产品简介:
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型号为IPA65R099C6XKSA1的Infineon Technologies(英飞凌)MOSFET,属于650V CoolMOS™系列,主要应用于高效率、高功率密度的开关电源系统。其典型应用场景包括: 1. 服务器电源和通信电源:该器件具有低导通电阻和开关损耗,适合用于高效率电源转换系统,如服务器电源模块(PSU)和电信电源设备。 2. 工业电源和变频器:可用于工业电机驱动、逆变器及不间断电源(UPS),提供稳定可靠的高频开关性能。 3. 电动汽车充电系统:适用于车载充电器(OBC)和充电桩电源模块,支持高效率和高可靠性运行。 4. 光伏逆变器:在太阳能逆变器中用于DC-AC转换,具备良好的热稳定性和高耐压能力,提升系统整体效率。 5. PFC(功率因数校正)电路:常用于升压式PFC拓扑,提高输入功率因数并减少谐波污染。 该MOSFET采用TO-220封装,便于散热和安装,适用于需要高效能与可靠性的各类功率电子设备。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 38A TO220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPA65R099C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043341f67a1013440dbd0a55019 |
产品图片 | |
产品型号 | IPA65R099C6XKSA1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | CoolMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1.2mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2780pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 127nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 99 毫欧 @ 12.8A, 10V |
供应商器件封装 | PG-TO220 整包 |
功率-最大值 | 35W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 38A (Tc) |