ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STP16NK60Z
Datasheet下载- 型号： STP16NK60Z
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STP16NK60Z产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP16NK60Z由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP16NK60Z价格参考。STMicroelectronicsSTP16NK60Z封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP16NK60Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP16NK60Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP16NK60Z是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关模式电源设计，如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停和速度调节。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭高电流负载的应用中，例如汽车电子系统中的继电器替代方案，能够实现快速且高效的负载切换。 4. 电池管理：适用于电池保护电路，用于防止过充、过放以及短路等情况发生。同时也可以用作电池组中的均衡开关。 5. 逆变器：在小型光伏逆变器或其他类型的逆变器中，可以作为功率级的一部分来实现交流电与直流电之间的转换。 6. LED驱动：对于大功率LED照明应用，此MOSFET可以用作PWM调光控制器中的开关器件，以精确调节LED亮度。 7. 工业自动化：在可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口以及其他工业控制设备中充当信号隔离或功率放大作用。 8. 消费类电子产品：如家用电器、电动工具等产品内部的电源管理和驱动电路部分。 总之，STP16NK60Z凭借其耐压高达600V、最大连续漏极电流达16A的特点，在需要高电压、中等电流处理能力的各种电力电子应用场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220MOSFET N-Ch 600 Volt 14 Amp Zener SuperMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP16NK60ZSuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP16NK60Z |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Qg-GateCharge | 86 nC |
| Qg-栅极电荷 | 86 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 420 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2650pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 420 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-4372-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF75455?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 420 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 14 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Tc） |
| 系列 | STP16NK60Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
