Datasheet下载- 型号： STI30NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STI30NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI30NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTI30NM60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STI30NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STI30NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STI30NM60N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有较高的耐压和导通能力，适用于多种功率电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器中，用于高效能的电能转换。 2. 电机驱动：适用于工业自动化设备、电动工具和家电中的电机控制电路，提供快速开关和低损耗特性。 3. 照明系统：在LED照明和电子镇流器中作为高频开关元件，提升效率和可靠性。 4. 汽车电子：用于车载充电系统、电机控制器和车身电子模块，满足汽车环境对稳定性和耐用性的要求。 5. 工业控制：应用于变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等工业设备中，支持高频率开关操作。 该器件具备低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，适合高频、高效率的开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STI30NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 91nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 12.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Tc） |
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