Datasheet下载- 型号： RSD150N06TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSD150N06TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSD150N06TL价格参考。ROHM SemiconductorRSD150N06TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSD150N06TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSD150N06TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RSD150N06TL是一款N沟道MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中的高效率开关元件，提高能源利用率。 2. 电机驱动：适用于工业自动化设备、电动工具及家用电器中的电机控制电路。 3. 负载开关：在电池供电设备中作为负载开关，实现快速通断控制，降低功耗。 4. 逆变器与变频器：用于光伏逆变器、UPS系统或小型变频器中，支持高频开关操作。 5. 汽车电子：满足车载充电系统、LED照明或辅助电机控制的高可靠性需求。 该器件具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（60V）及大电流能力（150A），支持高效率与小型化设计，适合高功率密度场景。封装形式（如TO-263）便于散热与PCB布局，适用于工业级温度范围，确保稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 15A CPT3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSD150N06TL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 930pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Ta） |
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