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详细数据请看参考数据手册

型号： IRFB4019PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4019PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4019PBF价格参考。International RectifierIRFB4019PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 150V 17A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB4019PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB4019PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFB4019PBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的单通道类型。该型号的应用场景主要包括以下几个方面：

 1. 电源管理
   - IRFB4019PBF 常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中，作为功率开关或同步整流元件。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效降低功耗，提高效率。
   - 可应用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LED驱动器等设备的电源管理系统。

 2. 电机驱动
   - 在小型电机驱动电路中，IRFB4019PBF 可用作功率级开关，控制电机的启停、转速和方向。
   - 适用于家用电器（如风扇、水泵）以及工业自动化设备中的直流电机控制。

 3. 负载切换
   - 用于负载切换电路中，实现对高电流负载的安全控制。例如，在汽车电子系统中，控制车灯、雨刷器或其他电气设备的通断。
   - 其快速开关特性和高可靠性使其非常适合需要频繁切换的应用。

 4. 电池保护
   - 在电池管理系统（BMS）中，IRFB4019PBF 可用作过流保护或短路保护的开关元件。
   - 适用于锂离子电池组、UPS（不间断电源）和其他储能系统的保护电路。

 5. 通信设备
   - 在通信基站、路由器和其他网络设备中，该 MOSFET 可用于信号调理、功率放大器的偏置控制以及散热管理。

 6. 工业应用
   - 在工业控制领域，IRFB4019PBF 可用于固态继电器、可编程逻辑控制器（PLC）和变频器等设备中，提供高效的功率转换和控制功能。

 总结
IRFB4019PBF 的主要优势在于其低导通电阻（典型值为19mΩ）、高电流处理能力（最大连续漏极电流可达37A）以及出色的热性能，这使得它在各种需要高效功率转换和控制的应用中表现出色。无论是消费电子、汽车电子还是工业设备，该型号都能满足多样化的需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 150V 17A TO-220ABMOSFET MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	17 A
Id-连续漏极电流	17 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4019PBF-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFB4019PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	80 W
Pd-功率耗散	80 W
Qg-GateCharge	13 nC
Qg-栅极电荷	13 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	80 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	80 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	150 V
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4.9 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4.9 V
上升时间	13 ns
下降时间	7.8 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.9V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	800pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	20nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	95 毫欧 @ 10A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
典型关闭延迟时间	12 ns
功率-最大值	80W
功率耗散	80 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	80 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	13 nC
标准包装	50
正向跨导-最小值	14 S
汲极/源极击穿电压	150 V
漏极连续电流	17 A
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	17A （Tc）
配置	Single
闸/源击穿电压	20 V