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  • 型号: NTZD3154NT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTZD3154NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTZD3154NT1G价格参考。ON SemiconductorNTZD3154NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 540mA 250mW 表面贴装 SOT-563。您可以下载NTZD3154NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTZD3154NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT-563MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

540 mA

Id-连续漏极电流

540 mA

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTZD3154NT1G-

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产品型号

NTZD3154NT1G

Pd-PowerDissipation

0.25 W

Pd-功率耗散

250 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

700 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

700 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 6 V

Vgs-栅源极击穿电压

6 V

上升时间

4 ns

下降时间

4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

150pF @ 16V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

550 毫欧 @ 540mA,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-563

其它名称

NTZD3154NT1GOSDKR

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

250mW

功率耗散

0.25 W

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

700 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-563-6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

540 mA

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

540mA

系列

NTZD3154N

通道模式

Enhancement

配置

Dual

闸/源击穿电压

+/- 6 V

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