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SI7812DN-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7812DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7812DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7812DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 75V 16A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7812DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7812DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7812DN-T1-GE3 是一款 N 沱沟道功率 MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:SI7812DN 可用于降压或升压型 DC-DC 转换器中的开关元件,其低 Rds(on) 和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 - 负载开关:在便携式设备中,该 MOSFET 可作为负载开关,控制电路的供电状态,同时降低功耗。 - 线性稳压器 (LDO):可以用作 LDO 的外部调整管,以实现高效的电压调节。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于驱动小型直流电机,通过 PWM(脉宽调制)信号调节电机速度和方向。 - H 桥电路:在 H 桥设计中,SI7812DN 可用作低侧开关,提供高效且可靠的电流切换能力。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护:用于锂离子电池或其他可充电电池组的充放电保护电路中,防止过流、短路或反向电流。 - 电池均衡:在多节电池组中,MOSFET 可用于实现电池单元间的均衡功能。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:作为内部电源管理模块的一部分,用于管理不同组件的供电需求。 - USB 充电器和接口:可用于 USB 接口的电流限制和保护功能,确保安全的充电过程。 5. 工业应用 - 开关电源 (SMPS):在开关模式电源中,SI7812DN 可作为主开关器件,实现高效的能量转换。 - 信号隔离与保护:用于工业自动化设备中的信号隔离电路,保护敏感元件免受高压或浪涌的影响。 6. 汽车电子 - 车载电子系统:如车内照明、娱乐系统或传感器供电,需要高效且稳定的开关性能。 - 电动车辆 (EV) 控制:在轻型电动车辆中,可用于辅助系统的电源管理和电机控制。 特点总结 - 低导通电阻:典型值为 12 mΩ(@ Vgs = 4.5V),能够显著降低传导损耗。 - 高电流能力:连续漏极电流高达 10 A(@ Tc = 25°C),适合大功率应用。 - 快速开关性能:低栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),支持高频开关操作。 - 小封装尺寸:采用 DPAK 封装,节省 PCB 空间,便于紧凑型设计。 总之,SI7812DN-T1-GE3 适合需要高效功率转换和低功耗的应用场合,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAKMOSFET 75V 16A 52W 37mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73332 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7812DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7812DN-T1-GE3SI7812DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 37 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 37 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 130 ns, 20 ns |
| 下降时间 | 50 ns, 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 840pF @ 35V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 37 毫欧 @ 7.2A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7812DN-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns, 35 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7812DN-GE3 |