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  • 型号: SI7812DN-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI7812DN-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7812DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7812DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7812DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 75V 16A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7812DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7812DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI7812DN-T1-GE3 是一款 N 沱沟道功率 MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:SI7812DN 可用于降压或升压型 DC-DC 转换器中的开关元件,其低 Rds(on) 和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。
   - 负载开关:在便携式设备中,该 MOSFET 可作为负载开关,控制电路的供电状态,同时降低功耗。
   - 线性稳压器 (LDO):可以用作 LDO 的外部调整管,以实现高效的电压调节。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于驱动小型直流电机,通过 PWM(脉宽调制)信号调节电机速度和方向。
   - H 桥电路:在 H 桥设计中,SI7812DN 可用作低侧开关,提供高效且可靠的电流切换能力。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池保护:用于锂离子电池或其他可充电电池组的充放电保护电路中,防止过流、短路或反向电流。
   - 电池均衡:在多节电池组中,MOSFET 可用于实现电池单元间的均衡功能。

 4. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑:作为内部电源管理模块的一部分,用于管理不同组件的供电需求。
   - USB 充电器和接口:可用于 USB 接口的电流限制和保护功能,确保安全的充电过程。

 5. 工业应用
   - 开关电源 (SMPS):在开关模式电源中,SI7812DN 可作为主开关器件,实现高效的能量转换。
   - 信号隔离与保护:用于工业自动化设备中的信号隔离电路,保护敏感元件免受高压或浪涌的影响。

 6. 汽车电子
   - 车载电子系统:如车内照明、娱乐系统或传感器供电,需要高效且稳定的开关性能。
   - 电动车辆 (EV) 控制:在轻型电动车辆中,可用于辅助系统的电源管理和电机控制。

 特点总结
- 低导通电阻:典型值为 12 mΩ(@ Vgs = 4.5V),能够显著降低传导损耗。
- 高电流能力:连续漏极电流高达 10 A(@ Tc = 25°C),适合大功率应用。
- 快速开关性能:低栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),支持高频开关操作。
- 小封装尺寸:采用 DPAK 封装,节省 PCB 空间,便于紧凑型设计。

总之,SI7812DN-T1-GE3 适合需要高效功率转换和低功耗的应用场合,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAKMOSFET 75V 16A 52W 37mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.2 A

Id-连续漏极电流

7.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?73332

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7812DN-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SI7812DN-T1-GE3SI7812DN-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

3.8 W

Pd-功率耗散

3.8 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

37 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

37 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

130 ns, 20 ns

下降时间

50 ns, 10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

840pF @ 35V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

37 毫欧 @ 7.2A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

其它名称

SI7812DN-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

20 ns, 35 ns

功率-最大值

52W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI7812DN-GE3

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