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Datasheet下载- 型号： APT34F100B2
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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APT34F100B2产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT34F100B2由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT34F100B2价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT34F100B2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 1000V 35A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX™ [B2]。您可以下载APT34F100B2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT34F100B2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现属于Microchip Technology）的APT34F100B2是一款高功率MOSFET器件，属于晶体管中的场效应管（FET）类别，具体为单个MOSFET。该器件常用于高电压和高电流应用场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器，适用于需要高效能和高稳定性的工业电源设备。 2. 电机控制：用于工业自动化设备中的电机驱动器，如伺服电机、步进电机的功率控制。 3. UPS（不间断电源）：在UPS系统中作为功率开关，确保电源切换的快速性和可靠性。 4. 逆变器与变频器：用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统及工业变频驱动中，实现高效的能量转换。 5. 焊接设备：因其具备高电流承载能力，适用于电弧焊、电阻焊等高功率焊接设备的电源控制模块。 6. 测试与测量设备：用于高功率负载模拟或测试系统中，作为开关或调节元件。 该MOSFET具备高耐压（1000V）、大电流（34A）特性，适合高频开关应用，且封装设计便于散热，适用于要求高可靠性和高性能的工业与电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6951-apt34f100b2-l-d-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT34F100B2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | POWER MOS 8™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9835pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 305nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | T-MAX™ [B2] |
| 功率-最大值 | 1135W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
