图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRF540NSTRRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRF540NSTRRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF540NSTRRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF540NSTRRPBF价格参考。International RectifierIRF540NSTRRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 100V 33A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载IRF540NSTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF540NSTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

33 A

Id-连续漏极电流

33 A

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF540NSTRRPBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRF540NSTRRPBF

Pd-PowerDissipation

3.8 W

Pd-功率耗散

3.8 W

Qg-GateCharge

47.3 nC

Qg-栅极电荷

47.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

44 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

44 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V to 4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V to 4 V

上升时间

35 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1960pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

71nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

44 毫欧 @ 16A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRF540NSTRRPBFDKR

典型关闭延迟时间

39 ns

功率-最大值

130W

功率耗散

3.8 W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

44 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

47.3 nC

标准包装

1

正向跨导-最小值

21 S

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

33 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

33A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf540ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf540ns.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

推荐商品

型号:AUIRLR014NTRL

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BUK9Y11-30B,115

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI6423DQ-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BUK7E2R6-60E,127

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF9610PBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:RS1E130GNTB

品牌:Rohm Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AOT2910L

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STL220N3LLH7

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
IRF540NSTRRPBF 相关产品

ZXMN3A02X8TC

品牌:Diodes Incorporated

价格:

BSS84PWH6327XTSA1

品牌:Infineon Technologies

价格:

SI3424DV-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

STB15NM65N

品牌:STMicroelectronics

价格:

STB33N60M2

品牌:STMicroelectronics

价格:

NTTFS4929NTAG

品牌:ON Semiconductor

价格:

2SK2967(F)

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:¥7.28-¥20.72

IRFD220PBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

PDF Datasheet 数据手册内容提取

PD - 95130 IRF540NSPbF IRF540NLPbF (cid:1) Advanced Process Technology (cid:1) Ultra Low On-Resistance HEXFETfi Power MOSFET (cid:1) Dynamic dv/dt Rating D (cid:1) 175(cid:176)C Operating Temperature V = 100V DSS (cid:1) Fast Switching (cid:1) Fully Avalanche Rated R = 44mΩ (cid:1) Lead-Free DS(on) G Description Advanced HEXFETfi Power MOSFETs from ID = 33A International Rectifier utilize advanced processing S techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on- resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up D2Pak TO-262 to 2.0W in a typical surface mount application. IRF540NSPbF IRF540NLPbF The through-hole version (IRF540NL) is available for low- profile applications. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units I @ T = 25(cid:176)C Continuous Drain Current, V @ 10V (cid:1) 33 D C GS I @ T = 100(cid:176)C Continuous Drain Current, V @ 10V (cid:1) 23 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:2)(cid:1) 110 DM P @T = 25(cid:176)C Power Dissipation 130 W D C Linear Derating Factor 0.87 W/(cid:176)C V Gate-to-Source Voltage – 20 V GS I Avalanche Current(cid:2) 16 A AR E Repetitive Avalanche Energy(cid:2) 13 mJ AR dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:3)(cid:1) 7.0 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J TSTG Storage Temperature Range (cid:176)C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf(cid:149)in (1.1N(cid:149)m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case (cid:150)(cid:150)(cid:150) 1.15 (cid:176)C/W RθJA Junction-to-Ambient (PCB mount)** (cid:150)(cid:150)(cid:150) 40 www.irf.com 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:6)

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25(cid:176)C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) V VGS = 0V, ID = 250(cid:181)A ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient (cid:150)(cid:150)(cid:150) 0.12 (cid:150)(cid:150)(cid:150) V/(cid:176)C Reference to 25(cid:176)C, ID = 1mA (cid:1) RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 44 mΩ VGS = 10V, ID = 16A(cid:2)(cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 (cid:150)(cid:150)(cid:150) 4.0 V VDS = VGS, ID = 250(cid:181)A gfs Forward Transconductance 21 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) S VDS = 50V, ID = 16A(cid:3)(cid:1) IDSS Drain-to-Source Leakage Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 25 (cid:181)A VDS = 100V, VGS = 0V (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 250 VDS = 80V, VGS = 0V, TJ = 150(cid:176)C I Gate-to-Source Forward Leakage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 100 nA VGS = 20V GSS Gate-to-Source Reverse Leakage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) -100 VGS = -20V Qg Total Gate Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 71 ID = 16A Qgs Gate-to-Source Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 14 nC VDS = 80V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 21 VGS = 10V, See Fig. 6 and 13(cid:2)(cid:4)(cid:1) td(on) Turn-On Delay Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 11 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VDD = 50V tr Rise Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 35 (cid:150)(cid:150)(cid:150) ns ID = 16A td(off) Turn-Off Delay Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 39 (cid:150)(cid:150)(cid:150) RG = 5.1Ω tf Fall Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 35 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VGS = 10V, See Fig. 10 (cid:3)(cid:1) L Internal Drain Inductance (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:6)(cid:11)(cid:12) (cid:150)(cid:150)(cid:150) Between lead, D D 6mm (0.25in.) nH from package G L Internal Source Inductance (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:13)(cid:11)(cid:12) (cid:150)(cid:150)(cid:150) S and center of die contact S Ciss Input Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 1960 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VGS = 0V Coss Output Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 250 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 40 (cid:150)(cid:150)(cid:150) pF (cid:131) = 1.0MHz, See Fig. 5 (cid:1) E Single Pulse Avalanche Energy(cid:5)(cid:1) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 700(cid:4)185(cid:5) mJ I = 16A, L = 1.5mH AS AS Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 33 MOSFET symbol D (Body Diode) showing the (cid:7) ISM P(Buolsdeyd D Siooduerc)(cid:2)e Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 110 pin-tne gjuranlc trieovne drsioede. G S VSD Diode Forward Voltage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 1.2 V TJ = 25(cid:176)C, IS = 16A, VGS = 0V (cid:4) trr Reverse Recovery Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 115 170 ns TJ = 25(cid:176)C, IF = 16A Qrr Reverse Recovery Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) 505 760 nC di/dt = 100A/(cid:181)s (cid:4)(cid:1) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:2)(cid:8)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:6) This is a typical value at device destruction and represents max. junction temperature. (See fig. 11) operation outside rated limits. (cid:5) Starting TJ = 25(cid:176)C, L =1.5mH (cid:7) This is a calculated value limited to TJ = 175(cid:176)C . RG = 25Ω, IAS = 16A. (See Figure 12) (cid:1)Uses IRF540N data and test conditions. (cid:3)ISD ≤ 16A(cid:9)(cid:8)di/d(cid:10)(cid:8)≤(cid:8)340A/(cid:181)s, VDD(cid:1)≤(cid:8)V(BR)DSS, **When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For (cid:4) PTuJ l≤s e1 7w5id(cid:176)Cth ≤ 400(cid:181)s; duty cycle ≤ 2%. recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V nt (A) 8765....0005VVVV nt (A) 8765....0005VVVV Curre 100 BOTTOM54..05VV Curre 100 BOTTOM54..05VV e e c c ur ur o o S S o- o- 4.5V ain-t 10 4.5V ain-t 10 Dr Dr I , D I , D 20(cid:181)s PULSE WIDTH 20(cid:181)s PULSE WIDTH TJ = 25(cid:176)C TJ = 175(cid:176)C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VD S , Drain-to-Source Voltage (V) V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 3.5 ID=33A e c n A) a 3.0 urrent ( n Resist 2.5 Source C 100 TJ = 25 (cid:176) C Source Omalized) 2.0 n-to- TJ = 175 (cid:176) C n-to-(Nor 1.5 ai ai Dr Dr 1.0 I , D V20 D (cid:181) Ss =P U50LVSE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=10V 10 0.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VG S , Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature ( (cid:176) C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 3000 20 VGS=0V, f = 1MHz ID=16A C =C + C C SHORTED iss gs gd , ds V = 80V 2500 CCrossss==CCgdds + Cgd ge (V) 16 VVDDDSSS== 2500VV ance (pF) 2000 Ciss urce Volta 12 cit 1500 So pa o- Ca e-t 8 C, 1000 Gat 500 Coss V , GS 4 Crss FOR TEST CIRCUIT SEE FIGURE 1 3 0 0 1 10 100 0 20 40 60 80 VD S , Drain-to-Source Voltage (V) QG , Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA ent (A) 100 An()t 100 LIMITED BY RDS(on) Curr T = 175 (cid:176) C uerr Drain 10 J Ceucr 10 100(cid:181)sec everse TJ = 25 (cid:176) C Snoo--t 1msec R ai I , SD 1 Dr, D 1 TA = 25(cid:176)C 10msec I T = 175(cid:176)C J V G S = 0 V Single Pulse 0.1 0.1 0.2 0.6 1.0 1.4 1.8 V ,Source-to-Drain Voltage (V) 1 10 100 1000 SD V , Drain-toSource Voltage (V) DS Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 35 (cid:15) (cid:2) (cid:14) (cid:2)(cid:3) 30 (cid:14) (cid:21)(cid:3) (cid:16)(cid:11)(cid:17)(cid:11)(cid:18)(cid:11) nt (A) 25 (cid:15)(cid:21) +-(cid:14)(cid:2)(cid:2) e urr 20 (cid:14)(cid:21)(cid:3) C ain 15 (cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:12)(cid:7)(cid:15)(cid:8)(cid:1)(cid:16)(cid:1)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:10)(cid:12)(cid:11)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:13)(cid:1)(cid:1)≤≤ 01. 1(cid:14) %(cid:7) Dr I , D 10 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) 5 VDS 90% 0 25 50 75 100 125 150 175 T , Case Temperature ( (cid:176) C) C 10% Fig 9. Maximum Drain Current Vs. VGS Case Temperature td(on) tr td(off) tf (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:13) 10 Z )thJC ( 1 se D = 0.50 n o p s 0.20 e mal R 0.1 00..0150 PDM t1 er 0.02 SINGLE PULSE Th 0.01 (THERMAL RESPONSE) t2 Notes: 1. Duty factor D =t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJC+ TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 400 15V J) ID m TOP 6.5A y ( 11.3A g VDS L DRIVER Ener 300 BOTTOM 16A e h c RG D.U.T + an IAS - VDDA Aval 200 20V e tp 0.01Ω uls (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:25)(cid:8)(cid:6)(cid:26)(cid:18)(cid:11)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) P gle 100 n Si tp V(BR)DSS E , AS 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting T , Junction Temperature ( (cid:176) C) J (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:30)(cid:18)(cid:31)(cid:4)(cid:11)(cid:16)(cid:11)(cid:1) (cid:19)(cid:18)(cid:26)(cid:18)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:12)(cid:1)!(cid:8)(cid:12)(cid:15)(cid:9)" (cid:22)(cid:13)#(cid:1)$(cid:15)(cid:18)(cid:4)(cid:8)(cid:1)(cid:14)(cid:16)(cid:15)(cid:15)(cid:12)(cid:8)(cid:5) IAS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:9)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:25)(cid:8)(cid:6)(cid:26)(cid:18)(cid:11)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:13) Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ 12V .2µF QG .3µF (cid:22) + (cid:1)(cid:2) D.U.T. -VDS Q Q GS GD VGS V G 3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:24)(cid:18)(cid:13)(cid:4)(cid:6)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:9)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + %#(cid:24)(cid:21)(cid:30)#(cid:10)(cid:8)& (cid:28)(cid:22)(cid:30)(cid:10)(cid:8)%(cid:22)(cid:23)$#(cid:19)(cid:26)(cid:24) (cid:10)#(cid:22)(cid:23)$ (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)% • (cid:8)&(cid:22)’(cid:8)((cid:10)(cid:24) (cid:28)(cid:8)(cid:29)(cid:23)(cid:19)(cid:30)(cid:21)(cid:10) (cid:23)(cid:21)(cid:26) (cid:3) (cid:8)(cid:8) • )(cid:24)(cid:22)(cid:30)(cid:23)(cid:19)(cid:8)*(cid:25) (cid:23)(cid:26) (cid:8)(cid:8) • &(cid:22)’(cid:8)&(cid:26) + ,(cid:26)(cid:8)(cid:29)(cid:23)(cid:19)(cid:30)(cid:21)(cid:10) (cid:23)(cid:21)(cid:26) (cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)%(cid:30)(cid:24)(cid:24)(cid:26)(cid:23)(cid:10)(cid:8)(cid:18)(cid:24) (cid:23)$-(cid:22)(cid:24).(cid:26)(cid:24) - + (cid:5) (cid:4) - + - (cid:2) (cid:15)(cid:21) • (cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:19)(cid:10)(cid:8)(cid:21)(cid:22)(cid:23)(cid:10)(cid:24)(cid:22)(cid:25)(cid:25)(cid:26)(cid:19)(cid:8)(cid:27)(cid:28)(cid:8)(cid:15)(cid:21) + (cid:14) •• (cid:29)(cid:16)(cid:3)(cid:11)(cid:2)(cid:17)(cid:8)(cid:21)(cid:11)(cid:18)(cid:22)(cid:11)(cid:23)(cid:8)(cid:10)"(cid:24)(cid:8)(cid:22)(cid:16)(cid:25)(cid:25)(cid:26)(cid:26)(cid:20)(cid:19)#(cid:21)(cid:8)(cid:27)(cid:26)(cid:28)(cid:8)(cid:17)(cid:8)(cid:16)(cid:23)(cid:30)(cid:19)(cid:10)(cid:26)(cid:28)(cid:24)(cid:8)(cid:8)(cid:31)(cid:18) (cid:26)(cid:21)$(cid:10)(cid:10)(cid:22)(cid:24)(cid:8)!(cid:16)! - (cid:14)(cid:2)(cid:2) (cid:21)(cid:3) %(cid:8)(cid:8)(cid:15)(cid:26)(cid:20)(cid:26)(cid:24)$(cid:26)(cid:8)*(cid:22)(cid:25) (cid:24)#(cid:10)(cid:28)(cid:8)(cid:22)-(cid:8)(cid:16)(cid:11)(cid:17)(cid:11)(cid:18)(cid:8)-(cid:22)(cid:24)(cid:8)*"%/ (cid:23)(cid:23)(cid:26)(cid:25) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4) V =10V GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt (cid:1)(cid:2)V(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3) DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent &(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)’ I Ripple ≤ 5% SD %%%(cid:8)(cid:14) (cid:8)0(cid:8)(cid:12)(cid:11)(cid:5)(cid:14)(cid:8)-(cid:22)(cid:24)(cid:8)&(cid:22),#(cid:21)(cid:8)&(cid:26)(cid:20)(cid:26)(cid:25)(cid:8) (cid:23)(cid:19)(cid:8)(cid:1)(cid:14)(cid:8)(cid:16)(cid:24)#(cid:20)(cid:26)(cid:8)(cid:16)(cid:26)(cid:20)#(cid:21)(cid:26)$ (cid:21)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:13)(cid:8)(cid:4)For N-channel(cid:1)HEXFETfi power MOSFETs www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:23)(cid:4)(cid:3)(cid:11)(cid:18)(cid:5)(cid:24)(cid:25)(cid:7)(cid:26)(cid:9)(cid:10)(cid:18) Dimensions are shown in millimeters (inches) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:6)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:6)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:10)(cid:5)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:3)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:6)(cid:18)(cid:18)(cid:22) THIS IS AN IRF530S WITH PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW 02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE pNoosteit:io "nP "i nind iacsasteesm "bLleya lidn-eFree" ASSEMBLY YEAR 0 = 2000 LOT CODE WEEK 02 LINE L (cid:1)(cid:2) PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER F530S LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 0 = 2000 WEEK 02 A = ASSEMBLY SITE CODE 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) TO-262 Package Outline (cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)IGBT 1- GATE 2- COLLECTOR 3- EMITTER TO-262 Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRL3103L LOT CODE 1789 PART NUMBER INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW 19, 1997 RECTIFIER IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO Note: "P" in assembly line DATE CODE position indicates "Lead-Free" ASSEMBLY YEAR 7 = 1997 LOT CODE WEEK 19 LINE C OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 7 = 1997 WEEK 19 A = ASSEMBLY SITE CODE www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) D2Pak Tape & Reel Infomation Dimensions are shown in millimeters (inches) TRR 1.60 (.063) 1.50 (.059) 43..1900 ((..116513)) 11..6500 ((..006539)) 0.368 (.0145) 0.342 (.0135) FEED DIRECTION 1.85 (.073) 11.60 (.457) 1.65 (.065) 11.40 (.449) 15.42 (.609) 24.30 (.957) 15.22 (.601) 23.90 (.941) TRL 1.75 (.069) 10.90 (.429) 1.25 (.049) 10.70 (.421) 4.72 (.136) 16.10 (.634) 4.52 (.178) 15.90 (.626) FEED DIRECTION 13.50 (.532) 27.40 (1.079) 12.80 (.504) 23.90 (.941) 4 330.00 60.00 (2.362) (14.173) MIN. MAX. 30.40 (1.197) NOTES : MAX. 1. COMFORMS TO EIA-418. 26.40 (1.039) 4 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 24.40 (.961) 3. DIMENSION MEASURED @ HUB. 3 4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE. Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the industrial market. Qualification Standards can be found on IR(cid:146)s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.03/04 10 www.irf.com

Note: For the most current drawings please refer to the IR website at: http://www.irf.com/package/

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRF540NSPBF IRF540NSTRRPBF IRF540NLPBF IRF540NSTRLPBF