Datasheet下载- 型号： MMIX1F360N15T2
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMIX1F360N15T2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMIX1F360N15T2价格参考。IXYSMMIX1F360N15T2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMIX1F360N15T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMIX1F360N15T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的MMIX1F360N15T2是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率晶体管，常用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有高耐压、大电流承载能力和较低的导通电阻，适合用于电源转换和功率控制领域。 主要应用场景包括： 1. 电源供应器：如DC-DC转换器、AC-DC电源模块，用于高效能电源管理。 2. 电机驱动：适用于工业自动化设备中的电机控制电路，提供高效率与稳定性能。 3. 逆变器系统：如太阳能逆变器、UPS不间断电源，用于将直流电转换为交流电。 4. 电池管理系统：用于高功率电池组的充放电控制与保护电路。 5. 工业控制设备：如PLC、伺服驱动器等，用于开关与功率调节功能。 该MOSFET适用于需要高可靠性和高效率的中高功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 150V 235A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMIX1F360N15T2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchT2™ GigaMOS™ HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 47500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 715nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.4 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | 24-SMPD |
| 功率-最大值 | 680W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 24-BESOP（0.906"，23.00mm 宽）21 引线，裸露焊盘 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 235A （Tc） |
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