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产品简介:
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NTMFS4C09NT3G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件,广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点,适用于多种电源管理和功率电子系统。 典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效能的电能转换。 2. 负载开关与电源管理:在服务器、计算机主板、电池管理系统中作为负载开关,控制电源通断,提高系统效率。 3. 马达控制与驱动电路:用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路中,实现精确的开关控制。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和光伏逆变器中,作为功率开关元件,实现电能形式的转换。 5. 汽车电子:如车载充电器、DC-DC转换模块、电动工具等场景,满足汽车系统对可靠性和效率的高要求。 该MOSFET采用T3封装,便于散热和安装,适合高密度和高效率设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTMFS4C09NT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1252pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.9nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.8 毫欧 @ 30A, 10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 760mW |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta) |