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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3303D1STRL由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3303D1STRL价格参考。International RectifierIRL3303D1STRL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL3303D1STRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL3303D1STRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRL3303D1STRL的晶体管属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,具体为单沟道MOSFET。该器件广泛应用于需要高效功率控制的电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,因其导通电阻低、开关速度快,有助于提高能效并减少发热。 2. 电机驱动:适用于直流电机或步进电机的控制电路,作为开关元件实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的负载开关或充放电管理模块。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动、继电器替代方案等场景,具备良好的可靠性和耐环境性能。 5. 工业自动化:在PLC、传感器模块、执行器控制中作为高频率开关使用,提升系统响应速度与稳定性。 该MOSFET采用表面贴装封装(如TSOP),适合自动化生产,且具备较好的热稳定性和电流承载能力,适用于中高功率应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRL3303D1STRL |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 20A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 68W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 38A (Tc) |