Datasheet下载- 型号： FQPF9N08
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF9N08由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF9N08价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF9N08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF9N08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF9N08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF9N08是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于中高功率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，作为高效的功率开关，提高能量转换效率。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停与转速。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如LED照明、加热元件或风扇等。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或逆变器中，作为核心开关元件实现电能形式的转换。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）中的功率控制部分。 该MOSFET具有较强的电流承载能力和良好的热性能，适合在中高功率、高频开关环境下使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF9N08 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 210 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 23W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
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