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  • 型号: IRFB4620PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4620PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4620PBF价格参考。International RectifierIRFB4620PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFB4620PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4620PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 25A TO-220ABMOSFET MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

25 A

Id-连续漏极电流

25 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4620PBFHEXFET®

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产品型号

IRFB4620PBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

144 W

Pd-功率耗散

144 W

Qg-GateCharge

25 nC

Qg-栅极电荷

25 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

72.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

72.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

22.4 ns

下降时间

14.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1710pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

72.5 毫欧 @ 15A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

典型关闭延迟时间

25.4 ns

功率-最大值

144W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

37 S

漏源极电压(Vdss)

200V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/internationalrectifier/IRF46x.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb4620pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4620pbf.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

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