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Datasheet下载- 型号： IRFB4620PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4620PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4620PBF价格参考。International RectifierIRFB4620PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFB4620PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB4620PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFB4620PBF是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号的主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：IRFB4620PBF适用于各种开关电源设计，例如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动：在小型电机控制中，该MOSFET可用于驱动直流无刷电机（BLDC）、步进电机或伺服电机，提供高效的开关性能和可靠的电流控制。 3. 负载切换：用于负载切换电路中，如汽车电子系统中的电池管理、继电器替代方案等，确保快速且低损耗的切换操作。 4. 逆变器应用：在光伏逆变器或其他类型的逆变器中，IRFB4620PBF可以作为功率级元件，实现高效的能量转换。 5. 电池管理系统（BMS）：在锂电池保护板或其他电池管理系统中，该器件可充当充放电路径的开关，提供过流保护和短路保护功能。 6. LED驱动：在高亮度LED照明系统中，这款MOSFET可以用作PWM调光控制器的一部分，调节LED亮度并保持稳定的电流输出。 7. 工业自动化设备：例如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口及执行器驱动等领域，需要高性能开关元件时，IRFB4620PBF是一个理想选择。 8. 消费电子产品：如笔记本电脑充电器、平板电脑外设、家用电器（风扇、水泵等）内部电路中，均可使用此MOSFET来优化能效表现。 总之，IRFB4620PBF凭借其优秀的电气特性和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效能量转换与精确电流控制的场合下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 25A TO-220ABMOSFET MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4620PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB4620PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 144 W |
| Pd-功率耗散 | 144 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 72.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 72.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22.4 ns |
| 下降时间 | 14.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1710pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 72.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 25.4 ns |
| 功率-最大值 | 144W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 37 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/internationalrectifier/IRF46x.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb4620pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4620pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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