Datasheet下载- 型号： FQB65N06TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB65N06TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB65N06TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB65N06TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB65N06TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB65N06TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB65N06TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。其主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源转换电路中，作为开关元件，实现高效能的电能转换。 2. DC-DC转换器：在车载电源系统、工业控制设备中，用于升降压电路，提供稳定电压输出。 3. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如电动工具、风扇、泵类设备的驱动模块中，具备高耐压和大电流能力。 4. 负载开关：在智能电表、电池管理系统中作为电子开关，控制负载的通断，具有低导通电阻，减少功率损耗。 5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源和太阳能逆变器中，用于将直流电转换为交流电，支持高效能源转换。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（60V）和大电流承载能力（65A），适合高频开关应用，提升系统效率与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB65N06TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2410pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A （Tc） |
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