ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDV301N_D87Z
Datasheet下载- 型号： FDV301N_D87Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDV301N_D87Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDV301N_D87Z价格参考。Fairchild SemiconductorFDV301N_D87Z封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 220mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23。您可以下载FDV301N_D87Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDV301N_D87Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDV301N_D87Z是一款N沟道MOSFET，属于小信号MOSFET，常用于低电压、低功耗的开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和小型封装（如SOT-23或DFN），适合空间受限的便携式设备。 其典型应用场景包括： 1. 便携式电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电源管理中的负载开关、电池供电切换或LED背光控制。 2. 电源开关与负载控制：在DC-DC转换器中作为同步整流开关或用于开启/关闭特定电路模块，实现节能待机功能。 3. 信号路由与逻辑控制：可用于模拟开关或数字信号通断控制，适用于低电流信号路径的切换。 4. 消费类电子设备：如无线耳机、充电器、USB接口电源控制等，利用其低静态电流和快速响应特性提升能效。 5. 工业与物联网终端：在传感器模块、无线传感节点中作为低功耗开关，帮助延长电池寿命。 由于FDV301N_D87Z具备良好的热稳定性和可靠性，且符合环保标准（如无铅、RoHS合规），特别适合对尺寸和功耗敏感的高密度电子设计。其工作电压范围适中，通常适用于3.3V或5V逻辑系统，是现代电子设备中理想的低功率开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 0.22A SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDV301N_D87Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.06V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9.5pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 400mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 220mA （Ta） |
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