Datasheet下载- 型号： TK39J60W,S1VQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK39J60W,S1VQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK39J60W,S1VQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK39J60W,S1VQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK39J60W,S1VQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK39J60W,S1VQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TK39J60W,S1VQ是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款N沟道MOSFET，属于晶体管-FET类别。该器件主要应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。 典型应用场景包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动电路。其600V的耐压能力和优异的导通电阻特性使其特别适用于工业电源设备、家用电器中的功率控制模块（如空调、洗衣机等变频系统），以及LED照明驱动电源。此外，该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，适合在高温或高负载环境下长期运行。 由于采用小型化SIP封装（S1VQ），TK39J60W,S1VQ节省电路板空间，便于集成设计，广泛用于紧凑型电子设备中。同时，其优化的栅极电荷特性降低了开关损耗，有助于提升整体能效，符合节能与环保趋势。 综上，TK39J60W,S1VQ是一款适用于中高电压、中等电流功率应用的高性能MOSFET，广泛服务于工业控制、消费电子和绿色能源等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 4100 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3PMOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 38.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 38.8 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK39J60W |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK39J60W,S1VQ- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK39J60W |
| 产品型号 | TK39J60W,S1VQTK39J60W,S1VQ |
| Pd-PowerDissipation | 270 W |
| Pd-功率耗散 | 270 W |
| Qg-GateCharge | 135 nC |
| Qg-栅极电荷 | 135 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1.9mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4100pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 19.4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
| 其它名称 | TK39J60WS1VQ |
| 功率-最大值 | 270W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/toshiba-dtmosiv-superjunction-mosfets/3396 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38.8A （Ta） |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
