Datasheet下载- 型号： FDD2670
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD2670由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD2670价格参考。Fairchild SemiconductorFDD2670封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD2670参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD2670 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDD2670是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：FDD2670适用于各种开关电源设计，如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动：该MOSFET可用于小型直流电机驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停和速度调节。其快速开关特性和较低的导通损耗使其适合此类应用。 3. 负载切换：在消费电子设备中，FDD2670可以用于电池供电设备的负载切换，例如移动电话、平板电脑和其他便携式电子产品，以实现高效的电源管理。 4. LED驱动：在LED照明系统中，这款MOSFET可以用作PWM调光控制器中的开关元件，提供精确的亮度控制同时保持高能效。 5. 电池保护与管理：对于锂离子或其他可充电电池组，FDD2670能够用作过流保护和短路保护的开关，确保电池安全运行。 6. 音频功放：在D类音频放大器中，该器件可用作输出级开关，因其具有良好的热性能和快速开关能力，有助于降低失真并提升音质。 总之，FDD2670凭借其优良的电气参数和可靠性，在众多需要高效功率转换和控制的应用场合表现出色，广泛应用于消费类电子产品、工业控制以及通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAKMOSFET N-CH 200V 18A Q-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD2670PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD2670 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
| Pd-功率耗散 | 3.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1228pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | FDD2670CT |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Ta） |
| 系列 | FDD2670 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDD2670_NL |
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