数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN14006NH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN14006NH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN14006NH,L1Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPN14006NH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPN14006NH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPN14006NH,L1Q是东芝半导体与存储公司(Toshiba Semiconductor and Storage)生产的一款N沟道MOSFET,属于晶体管-FET类别。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于多种电源管理和功率转换场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器中,如降压(Buck)和升压(Boost)电路,提升电源转换效率,常见于笔记本电脑、平板和通信设备的电源模块。 2. 负载开关:作为高端或低端开关控制电源通断,用于电池供电设备中的节能管理,有效防止电流倒灌和过流风险。 3. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件,适用于家用电器(如风扇、打印机)和工业控制设备。 4. LED照明驱动:用于LED恒流驱动电路中,实现高效、稳定的亮度调节。 5. 消费类电子产品:如智能手机、移动电源、智能家居设备等,用于内部电源分配与管理,满足小型化和高能效需求。 TPN14006NH,L1Q采用小型封装(如SOP Advance),节省PCB空间,适合高密度布局设计。其额定电压为60V,连续漏极电流可达14A,兼具性能与可靠性,是中低压功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
ChannelMode | Enhancement |
Ciss-输入电容 | 1000 pF |
Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
Id-连续漏极电流 | 33 A |
品牌 | Toshiba |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN14006NH |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPN14006NH,L1Q |
产品型号 | TPN14006NH,L1Q |
Pd-PowerDissipation | 30 W |
Pd-功率耗散 | 30 W |
Qg-GateCharge | 15 nC |
Qg-栅极电荷 | 15 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
上升时间 | 9 ns |
下降时间 | 5.5 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
商标 | Toshiba |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | TSON-8 |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |